遠赤外分子レーザー装置(203室)
モード変換器内蔵多周波数発振ジャイロトロンFU CW GV(203室)
28GHzセラミック焼結装置(101室)
THz-TDS装置(405室)
THz ESR装置(多目的実験室1)
  • ジャイロトロンFU CW GI
  • ジャイロトロンFU CW GIII
  • ジャイロトロンFU CW GV(203室)○●
  • ジャイロトロンFU CW GVIB
  • ジャイロトロンFU CW GVII
  • ジャイロトロンFU CW X
  • ジャイロトロンFU CW VIIB
  • ジャイロトロンFU CW CI
  • ジャイロトロンFU CW CII
  • パルスジャイロトロン
  • 遠赤外分子レーザー装置(203 室)○●
  • BWO 光源システム
  • ミリ波オロトロン発振器
  • ジャイロトロンセラミックス焼結装置(28 GHz)(101 室)○●
  • ジャイロトロンセラミックス焼結装置(24 GHz)
  • テラヘルツ時間領域分光装置(THz-TDS)(405 室)○●
  • フェムト秒レーザー再生増幅器
  • 原子間力顕微鏡(AFM)
  • キャビティーダンパー
  • 光パラメトリック型 フェムト秒パルス波長変換器
  • 自己モード同期
  • テラヘルツ ESR 装置(下の 2 つを組み合わせて使用)(超低温施設)○●
  • 18T超伝導マグネット(温度可変インサートまたは希釈冷凍機を付けて使用)
  • テラヘルツ・ベクトルネットワークアナライザー
  • 電波暗室
  • サブミリ波帯プラズマ散乱装置

印:写真付きで紹介した装置
印:国内共同研究で利用可能な装置
印:その他の基盤的装置

1. ジャイロトロン

  • 周波数160GHzから460GHz
  • 出力10Wから1kW(出力や周波数は装置により異なります。上記の範囲内でも出力できない場合があります。)
  • 説明ジャイロトロンは、大型の真空管でミリ波・サブミリ波・テラヘルツ波帯の大電力光源です。周波数160GHzから460GHzの広い範囲で、高出力な赤外線を生成し、様々な物質の性質や反応に関する詳細な情報を提供します。

2. 極低温ミリ波電子スピン共鳴(ESR)測定装置 

  • 説明この装置は、極低温での環境下でミリ波領域での電子スピン共鳴を測定するために設計されています。物質中の電子のスピン挙動を詳細に解析することが可能です。ジャイロトロンを光源とすることも可能です。

3. ミリ波ベクトルネットワークアナライザ(MVNA) 

  • 説明MVNAは、ミリ波領域で信号の伝達特性や損失を測定するための高度なツールです。周波数帯域において信号の変動や特性を詳細に解析し、通信や材料研究に活用されます。

4. ミリ波焼結炉 

  • 周波数28GHz 
  • 出力10kW 
  • 説明ミリ波焼結炉は、ミリ波での加熱により、材料を高温で焼結させる装置です。この装置を用いて、新しい材料の合成や物性の調査が行われます。

5. テラヘルツ時間領域分光(THz-TDS)装置

  • 説明テラヘルツ時間領域分光装置は、物質中のテラヘルツ領域での振る舞いを時間的に解析するための先進的なツールです。これにより、物質のダイナミクスや構造の詳細な理解が可能となります。

6. 電波暗室 

  • 説明電波暗室は、外部からの電磁波の影響を排除し、厳密な実験環境を提供するための施設です。高精度な電波実験や測定が可能です。

7. テラヘルツ波キャリア寿命測定システム 

  • 説明テラヘルツ波キャリア寿命測定システムは、テラヘルツ波領域におけるキャリア寿命を精密に測定するための装置です。光学的なプロセスや物質の特性を調査する際に利用されます。

8. フェムト秒レーザー装置 

  • 説明フェムト秒レーザー装置は、極短時間のパルスレーザーを発生させる装置です。この装置を用いて、物質の超高速ダイナミクスや非線形光学現象の研究が行われます。

共同研究などにおける使用例

上記の装置は共同研究や機器等共用利用などにおいて、センター以外の方でも使用することができます。
詳しくは国内共同研究及び機器等共用利用のページをご覧ください。

生体資料への電磁波照射実験

  • 使用装置:ジャイロトロン FU CW GV 
  • 周波数:265GHz 
  • 照射電力:数100mW~数10W 
  • 照射条件:連続波照射(数分間) 
  • 被照射体温度:常温

試料のミリ波・サブミリ波帯の磁気共鳴

  • 使用装置: コンパクトジャイロトロン、15T無冷媒マグネット
  • 周波数: 
  • 照射電力:数100mW~数W 
  • 照射条件:パルス波
  • 被照射体温度:極低温

テラヘルツ帯における試料の複素誘電率計測

  • (THz-TDS)装置
  • 被照射試料:アルミナ